
К 2030 году в России появится крупнейшая в отечественной истории фабрика по выращиванию и обработке кристаллов для силовой и СВЧ-электроники. Эта масштабная инициатива будет реализована на базе предприятия «Исток» им. Шокина, являющегося частью государственной корпорации Ростех. Объем инвестиций оценивается в существенные суммы — речь идет о десятках миллиардов рублей, что указывает на исключительную значимость проекта для развития высокотехнологичной промышленности страны.
Масштаб и инновации: новая фабрика кристаллов
Планируется создание действительно выдающегося производства, способного ежегодно выпускать до 24 тысяч полупроводниковых пластин. Завод, который расположится во Фрязино, станет центром отечественных инноваций в области арсенида галлия (GaAs) и нитрида галлия (GaN). По словам заместителя генерального директора «Истока» Сергея Щербакова, ежемесячный производственный объем составит 1000 GaAs-пластин и 1000 GaN-пластин, диаметр каждой из которых — 150 мм.
Именно такие высокотехнологичные кристаллы лежат в основе современных СВЧ-транзисторов и монолитных интегральных схем. В производстве будут использоваться последние достижения микроэлектроники: для GaAs предусмотрены топологические нормы 0,5 мкм, 0,25 мкм, 0,2 мкм и 0,1 мкм, а для GaN — 0,25 мкм, 0,1 мкм, 0,06 мкм и 0,04 мкм. Это позволит выпускать продукцию, способную конкурировать с мировыми стандартами.
Комплексный подход и образовательная поддержка
Проект получил рабочее название «Фабрика» и объединяет не только само производство кристаллов, но и интегрированный научно-образовательный центр для подготовки кадров. В разработку и технологическое сопровождение будут вовлечены ведущие технические вузы страны: РТУ МИРЭА, НИУ МИЭТ, МИСИС и другие профильные институты.
Будущий технопарк появится на территории «Истока» и объединит несколько ключевых элементов: центр проектирования СВЧ-изделий, производство подложек из арсенида галлия и карбида кремния, а также линию по выпуску пластин из высокомощного кремния. Интеграция таких мощностей обеспечит комплексное развитие всего цикла производства — от создания подложек до готовых микросхем.
Импортозамещение и удовлетворение спроса
На сегодняшний день российские предприятия могут выпускать не более 5 тысяч пластин на базе арсенида галлия (диаметром 76 мм) в год, тогда как внутренняя потребность достигает 20–25 тысяч пластин. Это значит, что сейчас удается покрыть лишь 20–25% потребностей промышленности. Развитие новой фабрики во Фрязино способно кардинально изменить ситуацию, практически полностью закрыв спрос страны на критически важные компоненты.
Кристаллы и пластины выступают в роли основной заготовки для фотолитографических процессов, формирующих микро- и наноразмерные структуры современных транзисторов и силовых компонентов. В технологическом процессе исходные вещества плавятся и формируются в монокристаллы, которые после охлаждения нарезаются, шлифуются, полируются и подвергаются финальным операциям. Таким образом, каждая пластина становится фундаментом для создания высокоточных электронных изделий.
Помимо «Истока», планы по развитию собственного высокотехнологичного производства кристаллов имеются и у других игроков рынка микроэлектроники, что говорит о системном общем тренде на технологическое развитие и суверенитет.
Финансовые параметры и перспективы роста
Суммарная стоимость создания новой фабрики напрямую зависит от степени глубины интеграции производственных процессов: планируется ли только переоснастить существующую инфраструктуру или создать полностью автономное производство с собственной базой подложечных материалов, эпитаксиальным и НИОКР-комплексом, современными автоматизированными цехами и высочайшими стандартами чистоты.
Глава холдинга SNDGLOBAL Ольга Квашенкина отмечает, что стоимость проекта может варьироваться от нескольких до десятков и даже сотен миллиардов рублей. Минимальные вложения возможны при модернизации и использовании существующих наработок, при поддержке государства. Однако если задача — создать конкурентоспособное производство мирового уровня с локализацией критического оборудования и полномасштабными научно-исследовательскими подразделениями, инвестиции возрастут в разы.
Принципиальная особенность проекта — его потенциал для интеграции последних технологических и управленческих решений, что позволит постоянно совершенствовать продукцию и расширять ассортимент выпускаемых устройств.
СВЧ-электроника: ключ к технологической независимости
СВЧ-электроника становится основой для целого ряда критически важных отраслей — от современной радиосвязи до энергетики и оборонной промышленности. Новая кристальная фабрика на базе «Истока» — это не только инвестиции в материальные мощности, но и опора на интеллектуальный капитал страны.
Для обеспечения качества и технологической устойчивости нового производства будут применены самые современные системы контроля, автоматизации и мониторинга. Большое внимание уделяется подготовке нового поколения специалистов, что гарантирует долгосрочный стабильный успех и развитие сферы микроэлектроники в России.
Воплощение такого проекта — это шаг к достижению национального технологического суверенитета, благодаря которому российская радиоэлектроника сможет выдерживать конкуренцию на глобальном рынке и обеспечивать высокую независимость от зарубежных поставок.
Технопарк инноваций: новый этап развития
В рамках доклада Сергей Щербаков предложил создать на территории «Истока» специальный технопарк для испытания технологического оборудования и материалов, используемых в СВЧ-электронике. Ожидается, что этот комплекс займет около 10 тысяч квадратных метров.
Вложения в технологическую площадку составят порядка 5,8 млрд рублей. Предполагается, что проектирование начнется в третьем квартале 2025 года, а ввод объекта в эксплуатацию запланирован на первый квартал 2027 года. Такой подход обеспечит постоянное обновление технологической базы производства, а также ускорит появление новых, еще более совершенных изделий.
В целом проект «Истока» и Ростеха становится символом нового этапа отечественной микроэлектроники. Масштабное производство пластин и кристаллов GaAs и GaN, совмещенное с обучением специалистов и развитием инновационной инфраструктуры, станет основой для формирования конкурентной и технологически независимой промышленности будущего.
Источник: biz.cnews.ru



